May 21 19:50
2 mos ago
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English term
France
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Native in: French 
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output parasitic
English to French
Tech/Engineering
Electronics / Elect Eng
(MOS)FET/switches/relays
The converter uses this otherwise-wasted energy to discharge the high-side FET’s output capacitance and charge the synchronous FET’s output parasitic.
I don't understand "output parasitic" without "capacitance/inductance".
Is Capacitance implicit here, i.e. "... FET's output parasitic capacitance" ?
I don't understand "output parasitic" without "capacitance/inductance".
Is Capacitance implicit here, i.e. "... FET's output parasitic capacitance" ?
Proposed translations
(French)
| 4 | sortie parasite |
MassimoA
|
| 5 | capacité de sortie parasite |
Johannes Gleim
|
| 5 -1 | Capacitance |
Mohaddeseh Haftbaradaran
|
Proposed translations
19 hrs
Selected
sortie parasite
Le FET est un dispositif unipolaire et non bipolaire. Par conséquent, la sortie parasite ne nécessite pas la présence du terme de capacité.
Peer comment(s):
| agree |
Kim Metzger
: Moyens magnétiques permettant de réduire la puissance de sortie parasite de systèmes périodiques et procédé correspondant. https://tinyurl.com/47nb9nkd
1 hr
|
| disagree |
Johannes Gleim
: !) Wrong term, 2) unreliable, broken link.
2 days 18 hrs
|
4 KudoZ points awarded for this answer.
-1
19 mins
Mohaddeseh Haftbaradaran
Afghanistan
Afghanistan
Works in field
Afghanistan
English translator & teacher
Native in: Persian (Farsi) 
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Capacitance
In the provided text, "output parasitic" refers to the unintended or inherent electrical characteristics of the synchronous FET (Field-Effect Transistor) that affect its performance. Specifically, it likely refers to the parasitic capacitance, which is an unavoidable characteristic of the transistor's construction.
Note from asker:
| Thank you |
Peer comment(s):
| disagree |
Johannes Gleim
: It is not just any capacitance, but the parasitic capacitance of the output.
15 hrs
|
15 hrs
Johannes Gleim
Specializes in field
40 years Engineer, 20 years translations
Native in: German
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343
capacité de sortie parasite
Area Semiconductor devices and integrated circuits / General terms for semiconductor devices
IEV ref 521-05-36
en parasitic circuit element
unwanted circuit element that is an unavoidable adjunct of one or more wanted circuit elements
fr élément de circuit parasite, m
élément de circuit non voulu qui vient inévitablement s'ajouter à un ou plusieurs éléments de circuit voulus
https://www.electropedia.org/iev/iev.nsf/display?openform&ie...
La charge d’une porte CMOS est composée de trois paramètres :
- la capacité de grille de l’étage suivant,
- la capacité parasite de sortie, due aux diffusions de drain des transistors, https://manuals.plus/fr/mfj/mfj-249d-hf-vhf-swr-analyzer-man...
- et la capacité parasite de l’interconnexion.
https://pastel.hal.science/pastel-00001293/document
Integrated f-class amplifier with output parasitic capacitance compensation
The present invention relates to an integrated F-class amplifier arrangement and a method of compensating of input and output parasitic capacitance of a semiconductor power devices at higher harmonic frequencies in such a F-class amplifier arrangement.
https://patents.google.com/patent/WO2006016299A1/en
Amplificateur integre de classe f a compensation de capacite de sortie parasite
https://patents.google.com/patent/WO2006016299A1/fr
(patent-translated)
Alors que l’effet de drafting semble naturellement présent dans toutes les portes logiques (dû à la charge et décharge de capacité de sortie parasite), nous ne savons pas si une LUT programmée en cellule de Muller est aussi sujette à l’effet.
https://core.ac.uk/download/pdf/46814766.pdf
La capacité de sortie parasite (environ 3pF) sera inférieure à 650 ohms à des fréquences supérieures à 60 MHz. Cette capacité parasite n'affecte pas les mesures haute fréquence compte tenu du raccordement d'une ligne de transmission.
Je propose donc de traduire la phrase comme suit :
Le convertisseur utilise cette énergie perdue pour décharger la capacité de sortie du FET côté haut et charger la capacité de sortie parasite du FET synchrone.
Voir Fig. 2 : La charge est accumulée dans l'inductance L_Out lorsque l'interrupteur est ouvert.
IEV ref 521-05-36
en parasitic circuit element
unwanted circuit element that is an unavoidable adjunct of one or more wanted circuit elements
fr élément de circuit parasite, m
élément de circuit non voulu qui vient inévitablement s'ajouter à un ou plusieurs éléments de circuit voulus
https://www.electropedia.org/iev/iev.nsf/display?openform&ie...
La charge d’une porte CMOS est composée de trois paramètres :
- la capacité de grille de l’étage suivant,
- la capacité parasite de sortie, due aux diffusions de drain des transistors, https://manuals.plus/fr/mfj/mfj-249d-hf-vhf-swr-analyzer-man...
- et la capacité parasite de l’interconnexion.
https://pastel.hal.science/pastel-00001293/document
Integrated f-class amplifier with output parasitic capacitance compensation
The present invention relates to an integrated F-class amplifier arrangement and a method of compensating of input and output parasitic capacitance of a semiconductor power devices at higher harmonic frequencies in such a F-class amplifier arrangement.
https://patents.google.com/patent/WO2006016299A1/en
Amplificateur integre de classe f a compensation de capacite de sortie parasite
https://patents.google.com/patent/WO2006016299A1/fr
(patent-translated)
Alors que l’effet de drafting semble naturellement présent dans toutes les portes logiques (dû à la charge et décharge de capacité de sortie parasite), nous ne savons pas si une LUT programmée en cellule de Muller est aussi sujette à l’effet.
https://core.ac.uk/download/pdf/46814766.pdf
La capacité de sortie parasite (environ 3pF) sera inférieure à 650 ohms à des fréquences supérieures à 60 MHz. Cette capacité parasite n'affecte pas les mesures haute fréquence compte tenu du raccordement d'une ligne de transmission.
Je propose donc de traduire la phrase comme suit :
Le convertisseur utilise cette énergie perdue pour décharger la capacité de sortie du FET côté haut et charger la capacité de sortie parasite du FET synchrone.
Voir Fig. 2 : La charge est accumulée dans l'inductance L_Out lorsque l'interrupteur est ouvert.
Discussion
If two parts of an electronic circuit are in close proximity to one another, there is a likelihood of a capacitance effect – known as parasitic or stray capacitance – between them. This is unavoidable and usually unwanted. It arises because the electric field between parts at different potential causes them to store an electric charge. Stray capacitanceis associated with conductors such as wires and PCB tracks as well as components. It becomes more of an issue as signal frequency increases.
https://in.element14.com/parasitic-capacitance-definition