Glossary entry (derived from question below)
English term or phrase:
on-resistance
Spanish translation:
resistencia en conducción
Added to glossary by
GiovanniMu
Oct 11, 2016 20:19
7 yrs ago
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English term
on-resistance
English to Spanish
Tech/Engineering
Electronics / Elect Eng
Specifically designed for industrial applications, this HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
Proposed translations
(Spanish)
Proposed translations
+3
4 hrs
Julio Bereciartu
Venezuela
Venezuela
Native in Spanish
Specializes in field
Venezuela
extracting the real meaning
Native in: Spanish (Variant: Latin American) 
Works in: English to Spanish, Spanish to English
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resistencia en conducción
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41 mins
resistencia
Transistor IRF3205 Mosfet TO220 CH-N 55 V 110 A venta de ... - Carrod
www.carrod.mx/.../transistor-irf3205-mosfet-to220-ch-n-55-v...
Transistor mosfet IRF3205 Tipo T. El IRF3205 es un MOSFET de canal N de energía HEXFET® con muy baja resistencia por unidad de superficie de silicio y el ...
Irfz44n El Mosfet De Batalla Para Pwm, Ups, Ssdielect - $ 2.999 en ...
articulo.mercadolibre.com.co › Componentes Electrónicos › Otros
Irfz44n El Mosfet De Batalla Para Pwm, Ups, Ssdielect ... extremadamente baja resistencia por unidad de superficie de silicio . Este beneficio , combinado con la ...
www.carrod.mx/.../transistor-irf3205-mosfet-to220-ch-n-55-v...
Transistor mosfet IRF3205 Tipo T. El IRF3205 es un MOSFET de canal N de energía HEXFET® con muy baja resistencia por unidad de superficie de silicio y el ...
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Irfz44n El Mosfet De Batalla Para Pwm, Ups, Ssdielect ... extremadamente baja resistencia por unidad de superficie de silicio . Este beneficio , combinado con la ...
Peer comment(s):
| disagree |
Jennifer Levey
: The translation must clearly indicate that it refers to the "on" resistance - i.e., the resistance when the device is fully conductive.
1 hr
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53 mins
para lograr una razón resistencia/superficie(de silicio) extremadamente baja
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Peer comment(s):
| disagree |
Jennifer Levey
: The translation must clearly indicate that it refers to the "on" resistance - i.e., the resistance when the device is fully conductive.
1 hr
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Yes, you are correct.
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4 hrs
(baja) resistencia en conducción (del Mosfet)
The aim of this paper is to provide an accurate estimation of the contribution of parasitic elements such as the shape and number of power bonding wires or top metallization thickness to power device on-state resistance (RON). The 3-D electrical FEM is a mandatory first step towards an accurate electrothermal FEM for the design of efficient power products.
http://ieeexplore.ieee.org/document/4358050/
The on-resistance of a vertical power transistor is substantially reduced by forming a thick metal layer on top of the relatively thin metal layer that is conventionally used to make contact with the individual transistor cells in the device. The thick metal layer is preferably .
https://www.google.com/patents/US5665996
Los transistores utilizados en sistemas de potencia son básicamente BJT, MOSFET e IGBT. Estos dispositivos deben tener baja resistencia en conducción**, lo que permite menores pérdidas por disipación de potencia
Alta velocidad de conmutación, lo que permite utilizar frecuencias mayores a 100Khz.
Soportar un alto potencial entre las terminales.
https://www.researchgate.net/profile/Juan_Antonio_Arizaga_Si...
http://ieeexplore.ieee.org/document/4358050/
The on-resistance of a vertical power transistor is substantially reduced by forming a thick metal layer on top of the relatively thin metal layer that is conventionally used to make contact with the individual transistor cells in the device. The thick metal layer is preferably .
https://www.google.com/patents/US5665996
Los transistores utilizados en sistemas de potencia son básicamente BJT, MOSFET e IGBT. Estos dispositivos deben tener baja resistencia en conducción**, lo que permite menores pérdidas por disipación de potencia
Alta velocidad de conmutación, lo que permite utilizar frecuencias mayores a 100Khz.
Soportar un alto potencial entre las terminales.
https://www.researchgate.net/profile/Juan_Antonio_Arizaga_Si...
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